多段階パルスレーザ蒸着で成長したC面サファイア上のエピタキシャルZnO薄膜の高電子移動度

KAIDASHEV E M; LORENZ M; WENCKSTERN H V; RAHM A; SEMMELHACK H-C; HAN K-H; BENNDORF G; BUNDESMANN C; HOCHMUTH H

文献

J-GLOBAL ID：200902212669247574 整理番号：03A0409341

多段階パルスレーザ蒸着で成長したC面サファイア上のエピタキシャルZnO薄膜の高電子移動度

High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition

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資料名：
巻： 82 号： 22 ページ： 3901-3903 発行年： 2003年06月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

温度を下げて成長させたZnO界面層からなる,高品質ZnO薄膜...

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酸化物薄膜 , その他の無機化合物の電気伝導

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