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J-GLOBAL ID：200902212718080443   整理番号：03A0506857

高電流利得の4H-SiC NPNパワーバイポーラ接合トランジスタ

A High Current Gain 4H-SiC NPN Power Bipolar Junction Transistor

著者 (5件)： ZHANG J (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  LUO Y (Rutgers Univ., NJ, USA) ,  ALEXANDROV P (United Silicon Carbide, Inc., NJ, USA) ,  FURSIN L (United Silicon Carbide, Inc., NJ, USA) ,  ZHAO J H (Rutgers Univ., NJ, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 24  号： 5  ページ： 327-329  発行年： 2003年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高出力4H-SiCバイポーラ接合トランジスタ(BJT)の開発...

シソーラス用語： *バイポーラトランジスタ ,...

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電流利得 ,  4H-SiC ,  パワー ,  バイポーラ接合トランジスタ