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J-GLOBAL ID：200902212885208192   整理番号：03A0411522

GaMnAs強磁性半導体の性質に及ぼすBeドーピングの効果

Effect of Be doping on the properties of GaMnAs ferromagnetic semiconductors

著者 (9件)： LEE S (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHUNG S J (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI I S (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  YULDESHEV S U (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  IM H (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  KANG T W (Dongguk Univ., Seoul, KOR) ,  LIM W-L (Univ. Notre Dame, Indiana) ,  SASAKI Y (Univ. Notre Dame, Indiana) ,  FURDYNA J K (Univ. Notre Dame, Indiana)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 93  号： 10,Pt.3  ページ： 8307-8309  発行年： 2003年05月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピントロニクス用として有望なMBE成長させた強磁性半導体G...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： *Curie点 ,...

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分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強磁性半導体 ,  性質 ,  Be ,  ドーピング