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J-GLOBAL ID:200902212934545930   整理番号:09A0941361

すれすれ入射小角X線散乱による表面及び界面形態のプロービング

Probing surface and interface morphology with Grazing Incidence Small Angle X-Ray Scattering
著者 (3件):
資料名:
巻: 64  号:ページ: 255-380  発行年: 2009年08月31日 
JST資料番号: E0422B  ISSN: 0167-5729  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ナノ科学及びナノテクノロジーは,ナノ物体及びナノ物体の集合を作り出し,キャラクタライズし,そして理解すること狙う途方も無く拡大しつつある研究分野である。閉じ込め効果から生じるそれらの新しい物理的あるいは化学的特性はそれらの形態的特性,すなわち,それらの形状,サイズ及び空間的組織化に緊密に依存している。これは,専用形態キャラクタリゼーションツール,とりわけ,すれすれ入射小角X線散乱(GISAXS)を要求する。この逆空間技術は,ここ20年間で強力なツールとして現れ,1nmから数ミクロンまでに亘るサイズの表面上でもマトリクス中に埋め込まれたもののどちらでも,1個から数10億個のナノ粒子の形態的特性を非破壊的な方法で研究することを可能にした。この技術の利点は,非破壊的であること,大量のナノ粒子で平均化した統計的情報を与えること,X線ビームの入射角を変えることで表面あるいはその下深くの両方のプロービングを可能にすること,非常に異なる試料環境,とくに,成長,アニーリング,気体曝露のような与えられた過程の途中でその場で使用できること,異常散乱の利用により化学的な感度を与えられていることである。このレポートは,豊富な例により実験的事項からデータ分析の裏にある理論まで,GISAXS技術の概観を述べた。GISAXSデータに含まれた物理的形態情報をサイズ/形状分散に従って遭遇する異なるケースと共に,粒子形状因子及び干渉関数の表記法を導入しながら,簡潔な用語で述べた。すれすれ入射下でのX線拡散散乱の理論的背景を,一般的な仕方で述べ,次に,基板か,あるいはその下に埋め込まれたかのどちらかの粒子の集合からのすれすれ入射小角X線散乱の特別な場合に応用した。埋め込み金属ナノ粒子,粒状多層系,注入系,埋め込みあるいは積層あるいは堆積半導体ナノ構造,多孔質材料及び共重合体薄膜のex situ研究の分野をカバーしながら,今日まで発表されたGISAXS測定のほとんどを報告した。特別な強調を,分子ビームエピタクシャルによるナノ粒子成長中の超高真空下,あるいは触媒反応中の気体反応炉かのどちらかで行われた,in situ実験においた。広く分散した系及び形態を説明するために多くの例を詳細に議論した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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X線回折法  ,  固体の表面構造一般 
タイトルに関連する用語 (3件):
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