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J-GLOBAL ID：200902213030957844   整理番号：09A0214395

エキシマーレーザアニール,固相結晶化,そして,連続波レーザ被覆結晶化で形成した多結晶シリコン薄膜の欠陥の電気化学的及びRaman散乱評価

Electrochemical and Raman-Scattering Characterizations of Defects in Polycrystalline Silicon Thin Films Formed by Excimer-Laser Annealing, Solid-Phase Crystallization, and Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization

著者 (4件)： KITAHARA Kuninori (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  OHASHI Yasutaka (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  YAMAMOTO Kenichi (Shimane Univ., Matsue, JPN) ,  SASAKI Nobuo (Sharp Corp., Nara, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48  号： 2  ページ： 021205.1-021205.6  発行年： 2009年02月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エキシマーレーザアニール(ELA),固相結晶化(SPC),そして,連続波レーザ被覆結晶化(CLC)で成長させた,多結晶シリコン(ポリSi)薄膜の欠陥の電子活性を研究した。欠陥の活性は,バンド・ギャップの電子的活性状態によるエッチングの強化に基づく第二のエッチングによるエロージョンから推論した。水素化により粒界(GB)とサブ-GBをエッチングから保護したが,これらの欠陥が元々活性で,水素が不活化したことを示す。粒中の欠陥密度は,エッチングによる,膜の応力の変化によって評価した。応力はRaman分光法を使って推定した。ELAポリ-Siが粒中に高密度の活性欠陥の含むことを示した。一方SPCとCLCポリ-Si膜の密度ははより低かった。ELAのこの特徴は,レーザ照射の後の迅速な冷却の間の,粒中の欠陥の凍結に帰せる。これは ELA膜の1000°Cのポストアニールによる欠陥の消去と一貫する。CLCで,横に指向した成長が欠陥を減少させるの有効と推論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エキシマレーザ ,  Raman散乱 ,  電子 ,  活性 ,  *ポリシリコン ,  電気化学 ,  連続レーザ ,  バンドギャップ ,  *欠陥 ,  エッチング ,  焼なまし ,  *結晶粒界 ,  *レーザアニーリング ,  *固相成長 ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： 連続波レーザ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (20件)：

• J. S. Im, R. S. Sposili, and M. A. Crowder: Appl. Phys. Lett.70(1997)3434.
• S. Yoshimoto, C.-H. Oh, and M. Matsumura: Jpn. J. Appl. Phys.40(2001)4466.
• M. Tai, M. Hatano, S. Yamaguchi, S. K. Park, T. Noda, M. Hongo, T. Shibata, and M. Ohkura: Dig. Tech. Pap. Int. Workshop AM-LCD, 2002, p. 231.
• A. Hara, F. Takeuchi, M. Takei, K. Suga, K. Yoshino, M. Chida, Y. Sano, and N. Sasaki: Jpn. J. Appl. Phys.41(2002) L311.
• N. Sasaki, A. Hara, F. Takeuchi, Y. Mishima, T. Kakehi, K. Yoshino, and M. Takei: SID Int. Symp. Dig. Tech. Pap. 33(2002)154.

タイトルに関連する用語 (9件)： 固相 ,  結晶化 ,  連続波レーザ ,  多結晶 ,  シリコン薄膜 ,  欠陥 ,  電気化学 ,  Raman散乱 ,  評価