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J-GLOBAL ID:200902166185513138   整理番号:02A0355800

連続波レーザ横方向結晶化を利用した非アルカリガラス上の高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ

High-Performance Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors on Non-Alkali Glass Produced Using Continuous Wave Laser Lateral Crystallization.
著者 (8件):
資料名:
巻: 41  号: 3B  ページ: L311-L313  発行年: 2002年03月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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高性能の多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(T...
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分類 (1件):
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トランジスタ 
引用文献 (22件):
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