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J-GLOBAL ID：200902166185513138   整理番号：02A0355800

連続波レーザ横方向結晶化を利用した非アルカリガラス上の高性能多結晶シリコン薄膜トランジスタ

High-Performance Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors on Non-Alkali Glass Produced Using Continuous Wave Laser Lateral Crystallization.

著者 (8件)： HARA A (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  TAKEUCHI F (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  TAKEI M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SUGA K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  YOSHINO K (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  CHIDA M (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SANO Y (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN) ,  SASAKI N (Fujitsu Lab. Ltd., Atsugi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 3B  ページ： L311-L313  発行年： 2002年03月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高性能の多結晶シリコン(poly-Si)薄膜トランジスタ(T...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (22件)：

• 1) T. Sameshima, S. Usui and M. Sekiya: IEEE Trans. Electron Device Lett. EDL-7 (1986) 276.
• 2) K. Sera, F. Okumura, H. Uchida, S. Itoh, S. Kaneko and K. Hotta: IEEE Trans. Electron Devices ED-36 (1989) 2868.
• 3) H. Kuriyama, S. Kiyama, S. Noguchi, T. Kuwahara, S. Ishida, T. Nohda, K. Sano, H. Iwata, H. Kawata, M. Osumi, S. Tsuda, S. Nakano and Y. Kuwano: Jpn. J. Appl. Phys. 30 (1991) 3700.
• 4) N. Ibaraki: Dig. Tech. Papers of 1999 SID (Society for Information Display, San Jose, 1999) p. 172.
• 5) K. F. Lee, T. J. Stultz and J. F. Gibbons: <I>Beam Recrystallized Polycrystalline Silicon: Properties, Application and Technique</I>, ed. J. F. Gibbons (Academic Press, Inc., 1984) Semicond. & Semimet. Vol. 17, p. 227.

タイトルに関連する用語 (8件)： 連続波レーザ ,  横方向 ,  結晶化 ,  アルカリ ,  ガラス ,  高性能 ,  多結晶シリコン ,  薄膜トランジスタ