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J-GLOBAL ID：200902213064604991   整理番号：05A0987930

急速熱処理技術を伴うゾル-ゲル法によって製作したAg/Bi₄Ti₃O₁₂/p-Siヘテロ構造の性質に及ぼす配向成長の影響

Effects of oriented growth on properties of Ag/Bi₄Ti₃O₁₂/p-Si heterostructure prepared by Sol-Gel method with rapid thermal annealing techniques

著者 (2件)： WANG H. (Guilin Univ. Electronic Technol., Guilin, CHN) ,  REN M. F. (Guilin Univ. Electronic Technol., Guilin, CHN)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 16  号： 4  ページ： 209-213  発行年： 2005年04月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 急速熱処理技術を伴うゾル-ゲル法によってAg/Bi<sub>...

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,...

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (9件)： 急速熱処理 ,  ゾル-ゲル法 ,  製作 ,  Ag ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  性質 ,  配向 ,  成長