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J-GLOBAL ID：200902213129437761   整理番号：08A0565622

ZnO単結晶基板法の高感度中間紫外線Pt/Mg_0.59Zn_0.41OSchottkyフォトダイオード

High-Sensitivity Mid-Ultraviolet Pt/Mg_0.59Zn_0.41O Schottky Photodiode on a ZnO Single Crystal Substrate

著者 (7件)： ENDO Haruyuki (Iwate Industrial Res. Inst., Morioka, JPN) ,  ENDO Haruyuki (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KIKUCHI Michiko (Iwate Industrial Res. Inst., Morioka, JPN) ,  ASHIOI Masahumi (Iwate Industrial Res. Inst., Morioka, JPN) ,  KASHIWABA Yasuhiro (Sendai National Coll. Technol., Sendai, JPN) ,  HANE Kazuhiro (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KASHIWABA Yasube (Iwate Univ., Morioka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 1  号： 5  ページ： 051201.1-051201.3  発行年： 2008年05月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnO 単結晶上に形成した Pt/Mg_0.59Zn_0.41OSchottkyフォトダイオードについて報告する。ZnO 単結晶基板上に Mg_0.59Zn_0.41を RFマグネトロンスパッタにより形成した。分光透過および反射から求めた Mg_0.59Zn_0.41のバンドギャップは4.6 eVであった。形成されたフォトダイオードは反射防止SiO₂薄膜,半透明のSchottkyPt電極,Mg_0.59Zn_0.41薄膜,n⁺-ZnO 単結晶基板およびPt/Ti オーム接点~なる。電流-電圧特性から求めたフォトダイオードの理想計数は 1.3であった。最大応答性は波長220nmにおいて0.015A/Wであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  基板 ,  酸化亜鉛 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  白金 ,  *酸化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *マグネシウム化合物 ,  紫外検出器 ,  *スパッタ蒸着 ,  電流電圧特性 ,  感度 ,  白金電極 ,  接合形FET
準シソーラス用語： Schottky障壁形FET

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (6件)： ZnO ,  単結晶基板 ,  高感度 ,  紫外線 ,  Pt ,  フォトダイオード