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J-GLOBAL ID：200902213612683161   整理番号：05A0750431

Si上でHfO2薄膜が熱分解するとき2次元ボイド成長

Two-dimensional void growth during thermal decomposition of thin HfO2 films on Si
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著者 (6件)：
MIYATA Noriyuki

MIYATA Noriyuki について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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MORITA Yukinori

MORITA Yukinori について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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HORIKAWA Tsuyoshi

HORIKAWA Tsuyoshi について

(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)

National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN について

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NABATAME Toshihide

NABATAME Toshihide について

(Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN)

Assoc. Super-Advanced Electronics Technol., Ibaraki, JPN について

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ICHIKAWA Masakazu

ICHIKAWA Masakazu について

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TORIUMI Akira

TORIUMI Akira について


資料名：
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)

Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について


巻： 71  号： 23  ページ： 233302.1-233302.4  発行年： 2005年06月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si(001)表面上の膜中で熱的に開いたボイドの周りのHfO...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ケイ素

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高kゲート誘電体

高kゲート誘電体 について


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分類 (1件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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Si

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HfO2

HfO2 について

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薄膜

薄膜 について

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熱分解

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2次元

2次元 について

, 
ボイド成長

ボイド成長 について


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