文献

J-GLOBAL ID：200902213889728626   整理番号：08A0781482

熱酸化で作製したGeO₂/Ge MOS構造の界面捕獲密度の証拠

Evidence of low interface trap density in GeO₂/Ge metal-oxide-semiconductor structures fabricated by thermal oxidation

著者 (4件)： MATSUBARA Hiroshi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  SASADA Takashi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKENAKA Mitsuru (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN) ,  TAKAGI Shinichi (The Univ. of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo-ku, Tokyo 113-8656, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 93  号： 3  ページ： 032104  発行年： 2008年07月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge基板を直接熱酸化してGeO₂/Ge MOS構造を作製した。表面電位揺らぎ効果を含む低温コンダクタンス法で測定したAl/GeO₂/Ge MOS構造の界面捕獲密度(D_it)は酸化温度の上昇と共に低下した。D_itの最小値は約575°Cの酸化で得られ,この温度はGeO大気圧のO₂下でGeOが揮発しない最高温度範囲である。また,Alゲート形成前の水素焼なましはGeO₂/Ge界面状態の不動態化に効果があった。Ge基板の直接酸化で作製したGeO₂/Ge MOS界面に対して<10¹¹cm^-2eV^-1の最小D_itが得られることを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *熱酸化 ,  酸化ゲルマニウム ,  *MOS構造 ,  *密度 ,  捕獲中心 ,  表面電位 ,  焼なまし ,  不動態化 ,  界面 ,  *トラップ密度 ,  改変
準シソーラス用語： *捕獲密度

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 熱酸化 ,  作製 ,  GeO2 ,  Ge ,  MOS構造 ,  界面 ,  捕獲密度 ,  証拠