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J-GLOBAL ID：200902213903634940   整理番号：08A0812055

原子層堆積により成長したHfO₂誘電膜とAl₂O₃界面パッシベーション層を用いたAlGaN/GaN系MOS-HEMT

AlGaN/GaN MOS-HEMT With HfO₂ Dielectric and Al₂O₃ Interfacial Passivation Layer Grown by Atomic Layer Deposition

著者 (7件)： YUE Yuanzheng (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  HAO Yue (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  ZHANG Jincheng (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  NI Jinyu (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  MAO Wei (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  FENG Qian (Xidian Univ., Xi’an, CHN) ,  LIU Linjie (Xidian Univ., Xi’an, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 8  ページ： 838-840  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂/Al₂O₃積層構造を用いて,原子層堆積(ALD)成長絶縁ゲートAlGaN/GaN系金属-酸化膜-半導体(MOS)-高電子移動度トランジスタ(HEMT)を実現した。この積層ゲートは,薄型HfO₂(30Å)ゲート誘電薄膜と薄型(20Å)Al₂O₃ IPLから成る。1μmゲート長素子は,無視できる程度のC-Vヒステリシスと超低ゲート漏洩電流をもち,150mS/mmの相互コンダクタンス,12GHzの単位電流利得遮断周波数(f_T)と34GHzの最大発振周波数(f_MAX)を示した。ゲート遅延測定から,Al₂O₃/AlGaN界面は高品質であるとわかった。これらの結果から,ALD成長Al₂O₃界面パッシベーション層(IPL)をゲート酸化膜用high-κ(高誘電率)誘電膜として用いたAlGaN/GaN系MOS-HEMTの,作製の可能性は明らかである。

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  酸化アルミニウム ,  誘電体薄膜 ,  不動態化 ,  MOS構造 ,  *HEMT ,  *超薄膜 ,  *薄膜成長 ,  積層構造 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  利得 ,  原子層エピタクシー ,  周波数特性 ,  改変

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： 原子層堆積 ,  成長 ,  HfO2 ,  誘電膜 ,  Al2O3 ,  界面 ,  パッシベーション層 ,  AlGaN ,  GaN ,  MOS ,  HEMT