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J-GLOBAL ID：200902213994395179   整理番号：08A0465195

Cr-Al-N被覆の微細構造に及ぼす基板バイアス電圧の効果

Effects of substrate bias voltage on the microstructure of Cr-Al-N coatings

著者 (6件)： ZHU Ming (Xi’an Univ. Sci. & Technol., Xi’an, CHN) ,  ZHU Ming (Inst. Metal Res., Chinese Acad. Sci., Shenyang, CHN) ,  DUO Shuwang (Jiangxi Sci. and Technol. Normal Univ., Jiangxi, CHN) ,  LI Tianpeng (Inst. Metal Res., Chinese Acad. Sci., Shenyang, CHN) ,  LI Meishuan (Inst. Metal Res., Chinese Acad. Sci., Shenyang, CHN) ,  ZHOU Yanchun (Inst. Metal Res., Chinese Acad. Sci., Shenyang, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 373/374  ページ： 167-171  発行年： 2008年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約2μmの厚みのCr-Al-N被覆が反応性マグネトロンスパッタリング法によって作製された。微細構造と臨界破壊荷重に及ぼす基板の負のバイアス電圧(V_B)の影響がV_Bは0~150Vの範囲で変化するとして調査された。V_Bが増加すると共に結晶粒径,格子定数及び微小ひずみは増大した。B_Bが-100Vよりさらに大きくなると,結晶粒は大きくなり,(200)優先方位が発達し,0と-50Vで蒸着した被覆内では(111)優先方位が支配的となった。XRDピーク位置は低角度側に移行し,Al/Cr原子比の減少と格子間Nの存在によって説明された。V_Bの増大に伴う被覆のFWHMのブロード化は結晶格子中の微小ひずみに由来したものであった。

シソーラス用語： *セラミック被覆 ,  *窒化アルミニウム ,  *蒸着膜 ,  反応性スパッタリング ,  *微細構造 ,  *破壊荷重 ,  結晶粒度 ,  優先配向
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  基板バイアス ,  *窒化クロム

分類 (1件)： 金属材料へのセラミック被覆  (YC02050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： Cr ,  Al ,  微細構造 ,  バイアス電圧