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J-GLOBAL ID：200902214359756412   整理番号：09A0810305

(411)A GaAs基板上にMBE成長したGaAsBi薄膜とV族分子線圧依存性

著者 (6件)： 山口大輔 (愛大 院) ,  石川智貴 (愛大 院) ,  毛利如良 (愛大 院) ,  松木豊和 (愛大 院) ,  今津晋二郎 (愛大 院) ,  下村哲 (愛大 院)
資料名： 応用物理学会中国四国支部・日本物理学会中国支部・四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集  (日本物理学会中国支部・四国支部・応用物理学会中国四国支部・日本物理教育学会中国四国支部支部学術講演会講演予稿集)
巻： 2008  ページ： 124  発行年： 2008年 
JST資料番号： L5917A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  ヒ化ガリウム ,  *MBE成長 ,  *人工超格子 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *ヒ化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *ガリウム化合物

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs基板 ,  MBE成長 ,  GaAsBi ,  薄膜 ,  分子線 ,  圧 ,  依存性