f<sub>max</sub>/f<sub>T</sub>=350/300GHzおよびゲート遅延3.3ps以下のSiGe HBT技術

KHATER M; RIEH J-S; ADAM T; CHINTHAKINDI A; JOHNSON J; KRISHNASAMY R; MEGHELLI M; PAGETTE F; STRICKER A

文献

J-GLOBAL ID：200902214372147433 整理番号：05A0154136

f_max/f_T=350/300GHzおよびゲート遅延3.3ps以下のSiGe HBT技術

SiGe HBT Technology with f_max/f_T=350/300GHz and Gate Delay Below 3.3ps

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著者 (9件)：

KHATER M

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(IBM Microelectronics, NY)

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RIEH J-S

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ADAM T

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CHINTHAKINDI A

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資料名：

Technical Digest. International Electron Devices Meeting (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)

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巻： 2004 ページ： 247-250 発行年： 2004年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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SiGe HBTの性能は,構造上の改良と共に垂直および水平方...

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