NAKAMURA A. について
Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN について
OHASHI T. について
Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN について
YAMAMOTO K. について
Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN について
ISHIHARA J. について
Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN について
Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN について
TEMMYO J. について
Res. Inst. of Electronics, Shizuoka Univ., 3-5-1 Johoku, Hamamatsu 432-8011, JPN について
GOTOH H. について
NTT Basic Res. Laboratories, 3-1 Morinosato Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, JPN について
Applied Physics Letters について
接合ダイオード について
ヘテロ接合ダイオード について
半導体のルミネセンス について
ダイオード について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
半導体薄膜 について
ZnO について
ヘテロ接合 について
ダイオード について