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J-GLOBAL ID：200902215481829923   整理番号：08A0277208

イオン性液体を用いる高移動度,低出力で高速スイッチングする有機電界効果トランジスタ

High-mobility, low-power, and fast-switching organic field-effect transistors with ionic liquids

著者 (5件)： ONO S. (Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Komae, Tokyo 201-8511, JPN) ,  SEKI S. (Central Res. Inst. of Electric Power Ind., Komae, Tokyo 201-8511, JPN) ,  HIRAHARA R. (Graduate School of Sci., Osaka Univ., Toyonaka 560-0043, JPN) ,  TOMINARI Y. (Graduate School of Sci., Osaka Univ., Toyonaka 560-0043, JPN) ,  TAKEYA J. (Graduate School of Sci., Osaka Univ., Toyonaka 560-0043, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 92  号： 10  ページ： 103313  発行年： 2008年03月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電層にイオン性液体(IL)電解質を持つ高移動度ルブレン単結晶の電界効果トランジスタを報告する。電気二重層を形成する高速イオン拡散の結果として,その静電容量は0.1MHz.でも1μF/cm²である。ルブレン結晶の1.2cm²/Vの高いキャリア移動度を用いて0.2Vに過ぎないゲート電圧で顕著な電流増幅が達成されるが,この電圧は誘電性ゲートトランジスタを用いる有機薄膜トランジスタに必要な値よりも2桁小さい。結果からIL/有機半導体界面は,固液界面形成においてキャリア移動度を犠牲にすることなく,低出力で高速スイッチングする電界効果トランジスタに適していることが示される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン液体 ,  *有機半導体 ,  *FET【トランジスタ】 ,  *スイッチング ,  *ゲート【半導体】 ,  *誘電体薄膜 ,  単結晶 ,  電気二重層 ,  静電容量 ,  キャリア移動度 ,  薄膜トランジスタ ,  液膜

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： ルブレン

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン性液体 ,  高移動度 ,  低出力 ,  スイッチング ,  有機電界効果トランジスタ