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J-GLOBAL ID：200902215555389416   整理番号：08A0464608

ZnSeTe混晶のMBE成長と光学的評価 II

MBE growth and optical evaluation of ZnSeTe alloy II

著者 (8件)： 金森真広 (北海道工大 大学院) ,  一戸善弘 (北海道工大 大学院) ,  共佳 (北海道工大 大学院) ,  今井和明 (北海道工大) ,  澤田孝幸 (北海道工大) ,  鈴木和彦 (北海道工大) ,  木村信行 (北海道工大) ,  木村尚仁 (北海道工大)
資料名： 北海道工業大学研究紀要  (Memoirs of the Hokkaido Institute of Technology)
号： 36  ページ： 255-258  発行年： 2008年03月24日 
JST資料番号： Y0585A  ISSN： 0385-0862  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZnSeTe混晶における青色(S1)及び緑色(S2)発光の機構を調べるために,GaAs(100)基板上にZnSeTe混晶をMBE成長させた。Zn,Se,及びTeの同時供給成長では,Teビーム強度を変えただけでは,Te濃度及びTeクラスタサイズを制御することが困難であった。一方,ZnSeバッファ層を積むことにより,深い発光が抑制され,S1発光の強度が増大することが分かった。以前の実験で観測されたS1バンドからのキャリア供給は,本研究でも確かめることができた。この事象は,S1バンド発光の機構を探る上で,重要であると考えられる。

シソーラス用語： *セレン化亜鉛 ,  *テルル化亜鉛 ,  固溶体 ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  MBE成長 ,  *発光 ,  *青色光 ,  可視光 ,  テルル ,  原子ビーム ,  バッファ層 ,  濃度 ,  クラスタ
準シソーラス用語： *混晶 ,  *緑色光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 混晶 ,  MBE成長 ,  光学的評価