きわめて薄い高κゲートスタックの実現によるGe基板上のZrO<sub>2</sub>とHfO<sub>2</sub>の直接的比較

文献

J-GLOBAL ID：200902216048700920 整理番号：05A0535192

きわめて薄い高κゲートスタックの実現によるGe基板上のZrO₂とHfO₂の直接的比較

Direct Comparison of ZrO₂ and HfO₂ on Ge Substrate in Terms of the Realization of Ultrathin High-κ Gate Stacks

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資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2323-2329 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

低い漏れ電流を持つきわめて薄い高κゲートスタックを実現させる...

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (15件)：

1) M. Hiratani, S. Saito, Y. Shimamoto, S. Tsujikawa, Y. Matsui, O. Tonomura, K. Torii, J. Yugami and S. Kimura: Ext. Abstr. Int. Conf. Solid State Device and Materials A-7-1 (2003) p. 700.
2) C. O. Chui, S. Ramanathan, B. B. Triplett, P. C. McIntyre and K. C. Saraswat: IEEE Electron Device Lett. 23 (2002) 473.
3) C. O. Chui, H. Kim, D. Chi, B. B. Triplett, P. C. McIntyre and K. C. Saraswat: Tech. Dig. Int. Electron Devices Meet. 17.3 (2002) p. 437.
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