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J-GLOBAL ID：200902216103897437   整理番号：03A0792519

セグメント/スティッチ・アレイアーキテクチャによる32MbチェインFeRAM

A 32-Mb Chain FeRAM With Segment/Stitch Array Architecture

著者 (9件)： SHIRATAKE S (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIYAKAWA T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKEUCHI Y (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  OGIWARA R (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  KAMOSHIDA M (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  JOACHIM H-O (Infineon Technol. Japan K.K., Tokyo, JPN) ,  REHM N (Infineon Technol. Japan K.K., Tokyo, JPN) ,  WOHLFAHRT J (Infineon Technol. Japan K.K., Tokyo, JPN) ,  ROEHR T (Infineon Technol. Japan K.K., Tokyo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 38  号： 11  ページ： 1911-1919  発行年： 2003年11月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体RAM(FeRAM)は,不揮発性,高速ランダムリード...

シソーラス用語： *強誘電体 ,...
準シソーラス用語： スタンバイ電流 ,...

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分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： セグメント ,  チェイン ,  FeRAM