高移動度金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの歪Si,SiGeおよびGeチャネル

LEE M L; FITZGERALD E A; BULSARA M T; CURRIE M T; LOCHTEFELD A

文献

J-GLOBAL ID：200902216177479785 整理番号：05A0165099

高移動度金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの歪Si,SiGeおよびGeチャネル

Strained Si, SiGe, and Ge channels for high-mobility metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

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巻： 97 号： 1 ページ： 011101.1-011101.28 発行年： 2005年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：文献レビュー発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

歪Si,SiGeおよびGeチャネルMOSFETの研究・開発史...

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造 , 半導体薄膜

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