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J-GLOBAL ID：200902216275951913   整理番号：09A0720268

c面GaN基板上の510~515nm InGaNに基づく緑色レーザダイオード

510-515 nm InGaN-Based Green Laser Diodes on c-Plane GaN Substrate

著者 (7件)： MIYOSHI Takashi (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  MASUI Shingo (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  OKADA Takeshi (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  YANAMOTO Tomoya (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  KOZAKI Tokuya (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  NAGAHAMA Shin-ichi (Nichia Corp., Tokushima JPN) ,  MUKAI Takashi (Nichia Corp., Tokushima JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 2  号： 6  ページ： 062201.1-062201.3  発行年： 2009年06月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザダイオード(LD)の構造とエピタキシャル層の成長条件を改善し,連続波下で515μm波長を有するInGaN系緑色LDの開発に成功した。LD構造は通常のc面自立GaN基板上に有機金属化学気相成長法(MOCVD)により成長させた。515nmにおける閾値電流と閾値電圧はそれぞれ53mAと5.2Vであった。25°Cにおいて光出力パワー5mWで連続波動作する510~515nmLDの寿命は>5000時間と推定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  インジウム化合物 ,  *半導体レーザ ,  緑 ,  MOCVD ,  電流 ,  電圧 ,  *連続レーザ ,  エピタクシー ,  閾値電流 ,  閾値電圧

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (7件)：

• KOZAKI, T. Proc. SPIE. 2006, 6133, 613306
• GAINES, J. M. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2462
• HAASE, M. A. Appl. Phys. Lett. 1993, 63, 2315
• OKAMOTO, K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 071105
• QUEREN, D. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 081119

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  InGaN ,  緑色レーザ ,  ダイオード