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J-GLOBAL ID：200902216284042551   整理番号：08A0187768

チャージアシストソースドレイン拡張による高性能バルクCMOS用薄型サイドウォールの新規構造

Novel Thin Sidewall Structure for High Performance Bulk CMOS with Charge-Assisted Source-Drain-Extension

著者 (9件)： OHTA H. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  FUKUTOME H. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  SAKUMA T. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  HATADA A. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  OHKOSHI K. (Fujitsu Ltd.) ,  IKEDA K. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MIYASHITA T. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MORI T. (Fujitsu Ltd.) ,  SUGII T. (Fujitsu Lab. Ltd., Tokyo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2007  ページ： 98-99  発行年： 2007年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ひずみ制御デバイスにおけるモビリティ改善には寄生抵抗の低減が必要であり,スケーリングにおいて電気特性の変動を小さくするため,サイドウォールの仮想反転層により短チャンネル効果を抑制し,きわめて浅い接合を形成する方法が報告されている。本報告では,引張り歪SINライナーを用いたnMOSと,シグマ-SiGeおよび圧縮歪SINライナーを用いたpMOSからなるバルクCMOSにおいて,高誘電率材を用いた薄いサイドウォールの新規構造を採用し,寄生抵抗の削減とウェハ間変動の改善が実現できた。新規構造によるバルクnMOSおよびpMOSのI_onは,I_off=100nA/μm(V_dd=1V)に対し,それぞれ1069μA/μmおよび725μA/μmの値が得られた。

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *側壁 ,  ドレイン【半導体】 ,  改良 ,  *電気抵抗 ,  MOSFET ,  歪 ,  移動度 ,  誘電材料 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： 性能改善 ,  *寄生抵抗 ,  高誘電率材料

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 拡張 ,  バルク ,  CMOS ,  薄型 ,  サイドウォール