新規C源としてアークプラズマガンを用いたSi(001)基板上のGeCエピ層のMBE成長モードとC取込み

文献

J-GLOBAL ID：200902216395108586 整理番号：03A0098230

MBE growth mode and C incorporation of GeC epilayers on Si(001) substrates using an arc plasma gun as a novel C source.

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資料名：
巻： 249 号： 1/2 ページ： 78-86 発行年： 2003年02月
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

標記の方法でGeCエピ層の分子線エピタクシー成長を試みた。結...

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半導体薄膜

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