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J-GLOBAL ID：200902216407298297   整理番号：09A0729153

GaN/InGaN薄膜太陽電池の変換効率の改善

Improved Conversion Efficiency of GaN/InGaN Thin-Film Solar Cells

著者 (8件)： HORNG Ray-Hua (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LIN Shih-Ting (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  TSAI Yu-Li (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  CHU Mu-Tao (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LIAO Wen-Yih (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  WU Ming-Hsien (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN) ,  LIN Ray-Ming (Chang-Gung Univ., Taoyuan, TWN) ,  LU Yuan-Chieh (Chang-Gung Univ., Taoyuan, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 30  号： 7  ページ： 724-726  発行年： 2009年07月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InNに関する最近の低エネルギーバンドギャップの発見は,InGaN合金を高効率な光電池用途の有力候補にしている。p-i-n GaN/InGaN薄膜太陽電池の作製と光起電力特性について報告した。レーザリフトオフ技術を用いてサファイアを除去し,Ti/Agミラーで覆ったSi基板上に残りのp-i-n構造をウエハボンディング転写して,薄膜太陽電池を作製した。ミラー構造は,薄い吸収層を持つ太陽電池に光吸収を増大させる。従来のサファイア系p-i-n太陽電池の薄膜プロセス後に,本デバイスは電流密度において57.6%の増加係数,0.55%~0.80%の変換効率の増分を示した。薄膜太陽電池における光電流増加の物理的原因はミラー構造による多重反射に関連する。

シソーラス用語： レーザ加工 ,  パターン形成 ,  *微細加工 ,  *太陽電池 ,  半導体薄膜 ,  ウエハ【IC】 ,  超小形回路技術 ,  貼合せ ,  PIN接合 ,  エネルギー変換効率 ,  素子構造
準シソーラス用語： *ウエハボンディング ,  *リフトオフ法 ,  *薄膜太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  InGaN ,  薄膜太陽電池 ,  変換効率