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J-GLOBAL ID：200902216479974700   整理番号：08A0806780

バイアス-ストレス起因のSiC MOSFET閾値電圧不安定性測定の時間依存性

Time Dependence of Bias-Stress-Induced SiC MOSFET Threshold-Voltage Instability Measurements

著者 (7件)： LELIS Aivars J. (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  HABERSAT Daniel (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  GREEN Ronald (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  OGUNNIYI Aderinto (U.S. Army Res. Lab., MD, USA) ,  GURFINKEL Moshe (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  SUEHLE John (National Inst. Standards and Technol., MD, USA) ,  GOLDSMAN Neil (Univ. Maryland, MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 55  号： 8  ページ： 1835-1840  発行年： 2008年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFETは,高温,高圧そして高周波数スイッチングなど,Siに比べて多くの利点がある。しかし,SiC-SiO₂界面の捕獲電荷がSiの場合よりはるかに大きく,デバイス性能が劣化する可能性を持っている。筆者等は,4H-SiC MOSFETのゲートバイアスストレス電流電圧測定において,閾値電圧不安定性のゲート傾斜電圧の時間依存性を見出した。本稿では,その原因について電子のトンネル効果に関して考察した。さらにNOアニールの効果を調べた。その結果,NOアニールの後では閾値電圧不安定性が大幅に減ることが分かった。閾値電圧不安定性効果は酸化膜トラップ数の下限を与えるが,測定速度に依存する。この効果はオフ状態の閾値電圧のシフトを生じさせ,より大きいドレイン漏れ電流の原因となるため信頼性上の問題となりうる。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *不安定性 ,  時間依存性 ,  トンネル効果 ,  焼なまし ,  漏れ電流 ,  スイッチング素子 ,  キャリア捕獲 ,  一酸化窒素 ,  *閾値電圧
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  NO ,  アニール

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： バイアス ,  ストレス ,  起因 ,  SiC ,  MOSFET ,  閾値電圧 ,  不安定性 ,  時間依存性