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J-GLOBAL ID：200902216516311830   整理番号：08A0781436

金属変調エピタクシーを用いたGaNにおける繰り返し増加Mg取込と大正孔濃度

Reproducible increased Mg incorporation and large hole concentration in GaN using metal modulated epitaxy

著者 (5件)： BURNHAM Shawn D. (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA) ,  NAMKOONG Gon (Electrical and Computer Engineering Dep., Old Dominion Univ., Norfolk, Virginia 23529, USA) ,  LOOK David C. (Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA) ,  CLAFIN Bruce (Semiconductor Res. Center, Wright State Univ., Dayton, Ohio 45435, USA) ,  DOOLITTLE W. Alan (School of Electrical and Computer Engineering, Georgia Inst. of Technol., Atlanta, Georgia 30332, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 104  号： 2  ページ： 024902  発行年： 2008年07月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： c面サファイア基板上のプラズマアシスト分子線エピタクシーによって成長させたMgドープGaNにおける繰り返し大正孔濃度を得るための確実な方法としての金属変調エピタクシー(MME)成長法について報告した。MME成長法に従って極端にGaリッチのフラクッスを使用し,Mg源を用いて変調した。MME法のシャッタ変調方法によってGaN膜中に十分なレベルで取り込むのに最適のMg表面被覆率をMMEサイクルとMgとの間で確立した。MME法を用いて得られたGaN膜中のMgの最大持続濃度は7×10²⁰cm^-3以上で,室温での正孔濃度として4.5×10¹⁸cm^-3,1.1cm²V^-1s^-1の移動度および1.3Ωcmの電気抵抗率が得られた。580Kでは対応する値がそれぞれ2.6×10¹⁹cm^-3,1.2cm²V^-1s^-1および0.21Ωcmであった。強白色光下でも試料の電気的パラメータは多少の変化をしたがp型はもとのままであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  金属 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *マグネシウム ,  ドーピング ,  濃度 ,  正孔 ,  フラックス【流束】 ,  被覆率 ,  キャリア移動度 ,  電気抵抗率 ,  シャッタ ,  キャリア密度 ,  *変調ドーピング
準シソーラス用語： シャッタ変調 ,  *金属変調エピタクシー

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 変調 ,  エピタクシー ,  GaN ,  Mg ,  取込 ,  正孔濃度