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J-GLOBAL ID：200902216869397088   整理番号：05A0722087

プラズマイオン注入・成膜(PBIID)法によって作製したDLC膜の残留応力測定

著者 (5件)： 三木靖浩 (奈良県工技セ) ,  足立茂寛 (奈良県工技セ) ,  西村芳実 (栗田製作所) ,  杉原雅彦 (栗田製作所) ,  堀野裕治 (産業技術総合研 ダイヤモンド研究セ)
資料名： 奈良県工業技術センター研究報告  (Report of Nara Prefectural Institute of Industrial Technology)
号： 31  ページ： 10-15  発行年： 2005年 
JST資料番号： G0952A  ISSN： 1346-0749  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： イオン注入法とプラズマCVD法とを複合したPBIID法を用い...

シソーラス用語： *DLC膜 ,...
準シソーラス用語： PBIID法

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分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマイオン注入 ,  成膜 ,  法 ,  作製 ,  DLC膜 ,  残留 ,  応力測定