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J-GLOBAL ID：200902217301982128   整理番号：08A1099520

高k誘電体系金属-絶縁体-半導体キャパシタに関するフラットバンド電圧過渡の比較研究

Comparative Study of Flatband Voltage Transients on High-k Dielectric-Based Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors

著者 (10件)： DUENAS S. (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  CASTAN H. (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  GARCIA H. (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  GOMEZ A. (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  BAILON L. (Universidad de Valladolid, Valladolid, ESP) ,  KUKLI K. (Univ. Tartu, Tartu, EST) ,  KUKLI K. (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  AARIK J. (Univ. Tartu, Tartu, EST) ,  RITALA M. (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN) ,  LESKELAE M. (Univ. Helsinki, Helsinki, FIN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 155  号： 11  ページ： G241-G246  発行年： 2008年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n-型シリコン上に析出した高k誘電体HfO₂,HfSiO_x,Gd₂O₃,Al₂O₃およびTiO₂薄膜のフラットバンド電圧過渡を系統的に検討比較した。フラットバンド条件下暗中で測定した試料では,電場を印加せず,電場関連電荷注入のないとき,これらの過渡は半導体からトンネル効果によって注入された電子を捕捉する絶縁体中の局所化状態によるものであった。この過程はフォノンによって支援され,従って熱活性化された。誘電材料の種類,バイアス履歴および静電容量-電圧曲線のヒステリシス符号に対するフラットバンド電圧過渡の依存性の存在を示した。フラットバンド電圧過渡の大きさは明らかに誘電体層結晶性に依存していた。

シソーラス用語： *MIS構造 ,  *誘電体薄膜 ,  *電圧 ,  *過渡現象 ,  酸化ハフニウム ,  ケイ素化合物 ,  酸化ガドリニウム ,  酸化アルミニウム ,  酸化チタン ,  フォノン ,  ヒステリシス ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： *フラットバンド電圧

分類 (3件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高k誘電体 ,  絶縁体 ,  キャパシタ ,  フラットバンド電圧 ,  研究