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J-GLOBAL ID：200902217613305948   整理番号：07A1229187

シリコン上の引張り歪ゲルマニウムCMOS集積化

Tensile-Strained Germanium CMOS Integration on Silicon

著者 (7件)： ZANG H. (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  ZANG H. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  LOH W.Y. (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  YE J.D. (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  LO G.Q. (Inst. Microelectronics, Singapore) ,  CHO Byung Jin (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHO Byung Jin (Korea Advanced Inst. Sci. and Technol., Daejeon, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 28  号： 12  ページ： 1117-1119  発行年： 2007年12月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiGe MOSFETは,Si MOSFETに比べて,キャリ...

シソーラス用語： 引張応力 ,...
準シソーラス用語： EOT ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  引張り歪 ,  ゲルマニウム ,  CMOS ,  集積化