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J-GLOBAL ID：200902217847103346   整理番号：07A1160072

II-VI希薄酸化物半導体合金エピレイアーのX線吸収・回折研究

X-ray absorption and diffraction study of II-VI dilute oxide semiconductor alloy epilayers

著者 (10件)： BOSCHERINI F (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  MALVESTUTO M (Univ. Bologna, Bologna, ITA) ,  CIATTO G (European Synchrotron Radiation Facility, Grenoble, FRA) ,  D’ACAPITO F (OGG-INFM-CNR, Grenoble, FRA) ,  BISOGNIN G (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  DE SALVADOR D (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  BERTI M (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  FELICI M (Univ. Rome ‘La Sapienza’, Rome, ITA) ,  POLIMENI A (Univ. Rome ‘La Sapienza’, Rome, ITA) ,  NABETANI Y (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN)
資料名： Journal of Physics. Condensed Matter  (Journal of Physics. Condensed Matter)
巻： 19  号： 44  ページ： 446201,1-12  発行年： 2007年11月07日 
JST資料番号： B0914B  ISSN： 0953-8984  CODEN： JCOMEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高分解能X線回折HRXRDとX線吸収微細構造XAFSによって...

シソーラス用語： 半導体 ,...

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分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 酸化物半導体 ,  合金 ,  X線吸収 ,  回折 ,  研究