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J-GLOBAL ID:200902217847103346   整理番号:07A1160072

II-VI希薄酸化物半導体合金エピレイアーのX線吸収・回折研究

X-ray absorption and diffraction study of II-VI dilute oxide semiconductor alloy epilayers
著者 (10件):
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巻: 19  号: 44  ページ: 446201,1-12  発行年: 2007年11月07日 
JST資料番号: B0914B  ISSN: 0953-8984  CODEN: JCOMEL  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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高分解能X線回折HRXRDとX線吸収微細構造XAFSによって...
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酸化物薄膜 
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