ふっ化炭素によるシリコンとSiO<sub>2</sub>の一層毎のエッチングの分子動力学の研究

RAUF S.; SPARKS T.; VENTZEK P. L. G.; SMIRNOV V. V.; STENGACH A. V.; GAYNULLIN K. G.; PAVLOVSKY V. A.

文献

J-GLOBAL ID：200902218534494618 整理番号：07A0157739

ふっ化炭素によるシリコンとSiO₂の一層毎のエッチングの分子動力学の研究

A molecular dynamics investigation of fluorocarbon based layer-by-layer etching of silicon and SiO2

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Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

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巻： 101 号： 3 ページ： 033308-033308-9 発行年： 2007年02月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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