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J-GLOBAL ID：200902218552265316   整理番号：05A0230158

次世代相補金属-酸化物-半導体デバイス用の代替高kゲート絶縁体としてのハイブリッドチタン-アルミニウム酸化物層

Hybrid titanium-aluminum oxide layer as alternative high-k gate dielectric for the next generation of complementary metal-oxide-semiconductor devices

著者 (9件)： AUCIELLO O (Argonne National Lab., Illinois) ,  FAN W (Argonne National Lab., Illinois) ,  KABIUS B (Argonne National Lab., Illinois) ,  SAHA S (Argonne National Lab., Illinois) ,  CARLISLE J A (Argonne National Lab., Illinois) ,  CHANG R P H (Northwestern Univ., Illinois) ,  LOPEZ C (Univ. North Carolina, North Carolina) ,  IRENE E A (Univ. North Carolina, North Carolina) ,  BARAGIOLA R A (Univ. Virginia, Virginia)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 4  ページ： 042904.1-042904.3  発行年： 2005年01月24日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代CMOSゲート酸化膜用に高誘電率のTi<sub>x<...

シソーラス用語： *CMOS構造 ,...
準シソーラス用語： 酸化物換算膜厚

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 次世代 ,  酸化物 ,  半導体デバイス ,  代替 ,  ゲート絶縁体 ,  チタン ,  アルミニウム ,  酸化物層