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J-GLOBAL ID：200902219012243344   整理番号：05A1008463

フルイディック自己組織化を利用したAlNセラミック基板上のGaAs HEMTの直接集積

Direct integration of GaAs HEMTs on AlN ceramic substrates using fluidic self-assembly

著者 (6件)： SOGA I. (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  HAYASHI S. (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  OHNO Y. (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  KISHIMOTO S. (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  MAEZAWA K. (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN) ,  MIZUTANI T. (Nagoya Univ., Nagoya-shi, JPN)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 41  号： 23  ページ： 1275-1276  発行年： 2005年11月10日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波ICに対する表面実装技術が,特にマイクロ波モノリシック...

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 自己組織化 ,  AlN ,  セラミック基板 ,  GaAs ,  HEMT ,  集積