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J-GLOBAL ID:200902219204792937   整理番号:09A0713357

異種材料光集積技術の現状と展望 ウェハボンディングによるGe/Siヘテロ接合とフォトダイオードへの応用

著者 (1件):
資料名:
号: 331  ページ: 129-134  発行年: 2009年07月10日 
JST資料番号: Y0019A  ISSN: 0286-9659  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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光通信システムで用いられる受光素子には,pinフォトダイオード(PD)やアバランシェフォトダイオード(APD)がある。筆者等はなだれ増倍層をSiとし,波長1700nmまでの光を受光できるGeを光吸収層としたGe/Si-APDの構造を提案し,その実現を検討してきた。本稿では,Siとバルク結晶Geとをウエハボンディング(WB)法により融着し,Ge/Siヘテロ接合PDを作製した結果を紹介した。ウエハボンディングは,表面の酸化膜を除去し,表面を親水性化した後,純水中で密着し熱処理することでGe/Siヘテロ接合を形成した。ヘテロ界面のTEM観察結果,Ge/Siヘテロ接合PDの暗電流特性,光電流-電圧特性,および分光感度特性の測定結果を示した。これらの結果から,提案した構造の実現可能性を述べた。
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分類 (2件):
分類
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光導電素子  ,  固体デバイス製造技術一般 

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