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J-GLOBAL ID：200902219243563244   整理番号：09A0599521

ラインエッジ粗さを有するグラフェンナノリボントンネルトランジスタの統計的試料の性能分析

Performance analysis of statistical samples of graphene nanoribbon tunneling transistors with line edge roughness

著者 (2件)： LUISIER Mathieu (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 465 Northwestern Ave, West ...) ,  KLIMECK Gerhard (Network for Computational Nanotechnology and Birck Nanotechnology Center, Purdue Univ., 465 Northwestern Ave, West ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 22  ページ： 223505  発行年： 2009年06月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強束縛法に基づいた三次元原子論的量子輸送シミュレータを用いて,異なるラインエッジ粗さ確率をもつ単一ゲートグラフェンナノリボン(GNR)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)の統計的試料を研究した。ナノリボンエッジが粗くなるにつれ,素子OFF電流が,グラフェンバンドギャップの低減及びゲートポテンシャル障壁を通してのソース-ドレイントンネル漏れの増倍により,劇的に増加することを見出した。同時に,ON電流はほとんど一定に留まった。このことは,トランジスタサブしきい値傾斜の劣化,及びGNR TFETのスイッチング性能を制限する,受容し難く低いON/OFF電流比をもたらした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *強束縛近似 ,  *シミュレータ ,  バンドギャップ ,  ポテンシャル障壁 ,  漏れ電流 ,  スイッチング ,  *グラフェン ,  ナノリボン ,  量子輸送
準シソーラス用語： 電界効果トランジスタ ,  *トンネル電界効果トランジスタ ,  ラインエッジ粗さ ,  トンネル電流 ,  オンオフ比

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： ラインエッジ粗さ ,  統計 ,  試料 ,  性能分析