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J-GLOBAL ID：200902219632385254   整理番号：08A0649943

GaN系LEDの信頼性のレビュー

A Review on the Reliability of GaN-Based LEDs

著者 (4件)： MENEGHINI Matteo (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  TREVISANELLO Lorenzo-Roberto (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MENEGHESSO Gaudenzio (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  ZANONI Enrico (Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻： 8  号： 2  ページ： 323-331  発行年： 2008年06月 
JST資料番号： W1320A  ISSN： 1530-4388  CODEN： ITDMA2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaN/GaN発光ダイオード(LED)は,蛍光灯のような環境問題がなく,近い将来,白熱電球や蛍光灯に代わり主要な照明機器に使用されると期待されている。しかし,GaN系LEDは寿命に課題がある。GaN系LEDの劣化の原因が明確になっていない。本稿では,活性層,オーミックコンタクトおよびパッケージ/蛍光体システムの性質の劣化を分離して解析する方法を提案した。そして,1)低電流密度ストレスによる活性層の劣化と,電荷/深いレベルの分布の変化とそれによる非放射再結合コンポーネントの増加,2)高温ストレスによるオーミックコンタクトの劣化と,それによる放射クラウディングと光出力減少,および,3)高温ストレスによるパッケージの光学的性質の劣化を示した。

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *発光ダイオード ,  照明器具 ,  活性層 ,  Ohm接触 ,  ICパッケージ ,  発光 ,  *信頼性解析 ,  *窒化インジウムガリウム
準シソーラス用語： *GaN ,  *InGaN ,  オーミックコンタクト

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  LED ,  レビュー