直交ゲート構造をもつ200Vトレンチ充填型超接合MOSFET

SHIBATA Takumi; NODA Yoshitaka; YAMAUCHI Shoichi; NOGAMI Shoji; YAMAOKA Tomonori; HATTORI Yoshiyuki; YAMAGUCHI Hitoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902219932941710 整理番号：08A0095596

直交ゲート構造をもつ200Vトレンチ充填型超接合MOSFET

200V Trench Filling Type Super Junction MOSFET with Orthogonal Gate Structure

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Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

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巻： 19th ページ： 37-40 発行年： 2007年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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