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J-GLOBAL ID：200902220163704406   整理番号：06A0256566

イオン増強注入されたフォトレジスト除去の表面特性評価

Surface characterization of ion-enhanced implanted photoresist removal

著者 (5件)： KAWAGUCHI Mark N. (Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085) ,  PAPANU James S. (Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085) ,  SU Bo (Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085) ,  CASTLE Matthew (Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085) ,  AL-BAYATI Amir (Applied Materials, Inc., 974 East Arques Avenue, Sunnyvale, California 94085)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 24  号： 2  ページ： 657-663  発行年： 2006年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高線量注入した深紫外線フォトレジストの化学組成を,遠隔rfプ...

シソーラス用語： *フォトレジスト ,...
準シソーラス用語： *プラズマプロセシング

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオン ,  増強 ,  注入 ,  フォトレジスト ,  表面特性 ,  評価