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J-GLOBAL ID:200902220199222815   整理番号:05A0910754

高密度低イオンエネルギーマイクロ波プラズマによって成膜した微結晶シリコンの構造特性へのパワー密度の影響

Effect of power density on the structure properties of microcrystalline silicon film prepared by high-density low-ion-energy microwave plasma
著者 (4件):
資料名:
巻: 493  号: 1-2  ページ: 54-59  発行年: 2005年12月22日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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基板温度400°Cで高密度(>1012c...
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分類 (2件):
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半導体薄膜  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 

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