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J-GLOBAL ID：200902220255200099   整理番号：08A0476823

8nmと薄いアンドープドボディの高性能SOI電界効果トランジスタ

High-Performance Undoped-Body 8-nm-Thin SOI Field-Effect Transistors

著者 (8件)： MAJUMDAR Amlan (IBM, NY, USA) ,  REN Zhibin (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  SLEIGHT Jeffrey W. (IBM, NY, USA) ,  DOBUZINSKY David (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  HOLT Judson R. (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  VENIGALLA Raj (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  KOESTER Steven J. (IBM, NY, USA) ,  HAENSCH Wilfried (IBM, NY, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 29  号： 5  ページ： 515-517  発行年： 2008年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンドープドまたは軽ドープ薄ボディFETは22nm技術ノードの魅力的候補である。アンドープまたは軽ドープFETのV_Tは金属ゲート仕事関数エンジニアリングで調節できる。残念ながら,薄いボディ寸法は高い直列抵抗をもたらし駆動電流を低下させ短チャネルの利点を打ち消す。今回アンドープドボディ短チャネル極薄SOI(ETSOI)FETを作製し,ドープド部分空乏化SOI(PDSOI)FETに比べて期待した短チャネルの利点を得た。レーザアニールでソース/ドレイン拡張(SDE)注入の活性化を前工程の最終で行うSDE最後プロセスによって直列抵抗ペナルティを最小にでき,そのため駆動電流はハロドープPDSOIと同等になった。

シソーラス用語： CMOS構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  エピタクシー ,  イオン注入 ,  *SOI構造 ,  電圧 ,  仕事関数 ,  電気抵抗 ,  電流 ,  長さ ,  ゲート【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  短チャネル効果
準シソーラス用語： ゲート長 ,  駆動電流 ,  直列抵抗 ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高性能 ,  SOI ,  電界効果トランジスタ