文献

J-GLOBAL ID：200902220263215062   整理番号：03A0685366

カーボンナノチューブトランジスタにおけるドレイン電圧スケーリング

Drain voltage scaling in carbon nanotube transistors

著者 (4件)： RADOSAVLJEVIC M (IBM Res. Div., New York) ,  HEINZE S (IBM Res. Div., New York) ,  TERSOFF J (IBM Res. Div., New York) ,  AVOURIS P (IBM Res. Div., New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 83  号： 12  ページ： 2435-2437  発行年： 2003年09月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： カーボンナノチューブ電界効果トランジスタ(CNFET)のター...

シソーラス用語： *ナノチューブ ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0685366&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： ドレイン電圧 ,  スケーリング