ポストトランシット光電流分光法による水素化非晶質シリコン中のギャップ準位のエネルギー分布  酸化インジウムスズ/酸化けい素二層ゲートの妥当性

SAKATA I.; YAMANAKA M.

文献

J-GLOBAL ID：200902220374994494 整理番号：05A0644091

ポストトランシット光電流分光法による水素化非晶質シリコン中のギャップ準位のエネルギー分布酸化インジウムスズ/酸化けい素二層ゲートの妥当性

Energy distribution of gap states in hydrogenated amorphous silicon by post-transit photocurrent spectroscopy: Validity of an indium-tin oxide/silicon oxide double-layer gate

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巻： 97 号： 10,Pt.1 ページ： 103707.1-103707.6 発行年： 2005年05月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

接合の漏れ電流低減は,a-Si:H中のギャップ準位のエネルギ...

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不純物・欠陥の電子構造 , 半導体の格子欠陥

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ポストトランシット光電流分光法による水素化非晶質シリコン中のギャップ準位のエネルギー分布 酸化インジウムスズ/酸化けい素二層ゲートの妥当性

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