研究者
J-GLOBAL ID：200901007450897526
更新日: 2020年08月28日
坂田 功
サカタ イサオ | Sakata Isao
所属機関・部署：
独立行政法人産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター 結晶シリコンチーム
独立行政法人産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター 結晶シリコンチーム について
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ホームページURL (1件)：
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=I60310287
研究分野 (3件)：
電子デバイス、電子機器
, 結晶工学
, 応用物性
研究キーワード (6件)：
電子物性工学 固体電子工学 半導体エレクトロニクス 太陽電池
, Amorphous semiconductorsm
, Defects in semiconductors
, Silicon nanoelectronics
, Silicon MOS devices
, Solar cells
競争的資金等の研究課題 (1件)：
1.電子材料物性 2.半導体デバイス 3.太陽電池
MISC (23件)：
Sakata, I, M Yamanaka, R Shimokawa. Back-surface-field effects at the heterojunctions between boron-doped p-type hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon in thin-film crystalline silicon solar cells. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS. 2005. 44. 10. 7332-7339
Sakata, I, M Yamanaka. Energy distribution of gap states in hydrogenated amorphous silicon by post-transit photocurrent spectroscopy: Validity of an indium-tin oxide/silicon oxide double-layer gate. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2005. 97. 10. 103707-1-103707-6
S Hazra, Sakata, I, M Yamanaka, E Suzuki. Control on the formation of Si nanodots fabricated by thermal annealing/oxidation of hydrogenated amorphous silicon. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2004. 96. 12. 7532-7536
Sakata, I, M Yamanaka, R Shimokawa. Band lineup at the interface between boron-doped P-type hydrogenated amorphous silicon and crystalline silicon studied by internal photoemission. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS. 2004. 43. 7B. L954-L956
S Hazra, Sakata, I, M Yamanaka, E Suzuki. Evolution of an amorphous silicon network from silicon paracrystallites studied by spectroscopic ellipsometry. PHYSICAL REVIEW B. 2004. 69. 23. 235204-1-235204-5
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学位 (1件)：
工学博士
所属学会 (5件)：
電子情報通信学会
, 応用物理学会
, The Japan Society of Applied Physics
, Information and Communication Engineers
, The Institute of Electronics
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