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J-GLOBAL ID：200902220450531369   整理番号：09A1072491

(100)及び(110)Si上に製作したLa含有高k/メタルゲートNMOSFETの閾値電圧低下におけるエリアスケーリングの影響

Impact of Area Scaling on Threshold Voltage Lowering in La-Containing High-k/Metal Gate NMOSFETs Fabricated on (100) and (110)Si

著者 (11件)： INOUE M. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  SATOH Y. (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  KADOSHIMA M. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  SAKASHITA S. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  KAWAHARA T. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  ANMA M. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  NAKAGAWA R. (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  UMEDA H. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN) ,  MATSUYAMA S. (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  FUJIMOTO H. (Panasonic Corp., Kyoto, JPN) ,  MIYATAKE H. (Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2009  ページ： 34-35  発行年： 2009年 
JST資料番号： A0035B  ISSN： 0743-1562  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hfベース高k/メタルゲート(HK/MG)へのLaの導入が,NMOSの閾値電圧を低下することが示されている。本稿では,La含有HK/MG NMOSFETの閾値電圧低下におけるエリアスケーリングの影響を報告した。また,STIエッジのチャネル方位の影響を調査するために,素子を(100)Si及び(110)Si上に製作した。チャネル幅及び長さの強い依存性が,STIコーナーのチャネル方位差及びLaエリア分布の可能なランダム性に起因した。優れた狭チャネル特性に対し,La量の適切範囲が存在し,La面分布を改良する修正アニールプロセスが有効であることを示した。

シソーラス用語： *MOSFET ,  *スケーリング【計数】 ,  電圧 ,  *ゲート【半導体】 ,  誘電体薄膜 ,  *ランタン ,  チャネル ,  アイソレーション【IC】 ,  焼なまし
準シソーラス用語： La ,  nMOSFET ,  STI ,  アニール ,  メタルゲート ,  高k材料 ,  *閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  製作 ,  La ,  メタルゲート ,  nMOSFET ,  閾値電圧 ,  エリア ,  スケーリング