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J-GLOBAL ID：200902220771733010   整理番号：05A0728328

高電圧縦方向RESURF・MOSFETのためのスケーラブル,トレンチエッチベースプロセス

A scalable trench etch based process for high voltage vertical RESURF MOSFETs
著者 (2件)：
ROCHEFORT C.

ROCHEFORT C. について

(Philips Res. Leuven, Leuven, BEL)

Philips Res. Leuven, Leuven, BEL について

, 
VAN DALEN R.

VAN DALEN R. について

(Philips Res. Leuven, Leuven, BEL)

Philips Res. Leuven, Leuven, BEL について


資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)

Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs について


巻： 17th  ページ： 35-38  発行年： 2005年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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縦方向超接合技術の導入により高電圧MOSFETに対する新しい...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*電力トランジスタ

電力トランジスタ について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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トレンチエッチ

トレンチエッチ について

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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高電圧

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縦方向

縦方向 について

, 
RESURF

RESURF について

, 
MOSFET

MOSFET について


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