文献

J-GLOBAL ID：200902220792149890   整理番号：05A0542378

InNの配向した柱状結晶の高成長速度の蒸着

High growth rate deposition of oriented InN pillar crystals

著者 (3件)： TAKEMOTO Kikurou (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  TAKAHASHI Naoyuki (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN) ,  NAKAMURA Takato (Shizuoka Univ., Shizuoka, JPN)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 134  号： 9  ページ： 617-620  発行年： 2005年05月25日 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハライド化学蒸着法によって,Si(100)基板上に,大気圧で...

シソーラス用語： *窒化インジウム ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0542378&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0499A") }}

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InN ,  配向 ,  柱状結晶 ,  成長速度 ,  蒸着