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J-GLOBAL ID：200902220909011363   整理番号：08A0549591

アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛トランジスタにおけるサブスレッショルドスウィング改善の起源

Origin of Subthreshold Swing Improvement in Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Transistors

著者 (8件)： JEONG Jong Han (Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  YANG Hui Won (Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  PARK Jin-Seong (Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  JEONG Jae Kyeong (Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  MO Yeon-Gon (Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  KIM Hye Dong (Samsung SDI Co., Ltd., Gyeonggi-Do, KOR) ,  SONG Jaewon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Cheol Seong (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 11  号： 6  ページ： H157-H159  発行年： 2008年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛(a-IGZO)薄膜トランジスタの性能に,a-IGZO膜のスパッタ蒸着時の圧力(1,3,5mTorr)が及ぼす影響を調べた。蒸着時の圧力が低いほどTFTの性能はよく,圧力を5から1mTorrに下げることで,電界効果移動度は11.4から21.8cm²/Vsに増大し,サブスレッショルドスウィング(S)は0.87から0.17V/decadeに減少した。Sの減少は,低圧で蒸着することでa-IGZO膜が稠密になり,膜中の欠陥が減少することに起因する。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  酸化物 ,  *インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  非晶質 ,  圧力効果 ,  キャリア移動度 ,  *電流電圧特性 ,  スパッタ蒸着
準シソーラス用語： 圧力依存性 ,  電界効果移動度 ,  *サブスレッショルドスウィング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： アモルファス ,  酸化インジウムガリウム亜鉛 ,  トランジスタ ,  起源