HfO<sub>2</sub>誘電体上の完全ににけい化した白金ゲートのけい素原子によれ誘起されたFermi準位ピニング

KADOSHIMA Masaru; AKIYAMA Koji; MISE Nobuyuki; MIGITA Shinji; IWAMOTO Kunihiko; YASUDA Naoki; TOMINAGA Koji; IKEDA Minoru; TORIUMI Akira

文献

J-GLOBAL ID：200902221001706134 整理番号：05A0535181

HfO₂誘電体上の完全ににけい化した白金ゲートのけい素原子によれ誘起されたFermi準位ピニング

Silicon-Atom Induced Fermi-Level Pinning of Fully Silicided Platinum Gates on HfO₂ Dielectrics

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資料名：
巻： 44 号： 4B ページ： 2267-2272 発行年： 2005年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

スケールした相補的金属酸化物半導体電界効果トランジスター(C...

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トランジスタ

引用文献 (13件)：

1) International Technology Roadmap for Semiconductors, 2003 Edition, Semiconductor Industry Association (2003).
2) M. Qin, V. M. C. Poon and S. C. H. Ho: J. Electrochem. Soc. 148 (2001) G271.
3) W. P. Maszara, Z. Krivokapic, P. King, J. Gray, J.-S. Goo and M.-R. Lin: Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (2002) p. 367.
4) J. Kedzierski et al.: Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (2002) p. 247.
5) J. Kedzierski, D. Boyd, P. Ronsheim, S. Zafer, J. Newbury, J. Ott, C. Cabral, M. Ieong and W. Haensch: Int. Electron Devices Meet. Tech. Dig. (2003) p. 315.

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HfO2誘電体上の完全ににけい化した白金ゲートのけい素原子によれ誘起されたFermi準位ピニング

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