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J-GLOBAL ID：200902221069777897   整理番号：05A0220462

Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT

A High Reliability GaN HEMT with SiN Passivation by Cat-CVD

著者 (9件)： 国井徹郎 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  戸塚正裕 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  加茂宣卓 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  山本佳嗣 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  竹内日出雄 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  島田好治 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  志賀俊彦 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  南条拓真 (三菱電機 先端技総研) ,  大石敏之 (三菱電機 先端技総研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 104  号： 552(MW2004 219-233)  ページ： 25-30  発行年： 2005年01月11日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： われわれは,catalytic vapor depositi...

シソーラス用語： *HEMT ,...
準シソーラス用語： Cat-CVD

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Cat-CVD ,  パッシベーション膜 ,  信頼度 ,  GaN ,  HEMT