低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl<sub>0.17</sub>Ga<sub>0.83</sub>N MOCVD成長

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J-GLOBAL ID：200902221126685619 整理番号：06A0266005

低温中間層を用いた加工サファイア基板上のAl_0.17Ga_0.83N MOCVD成長

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資料名：
巻： 53rd 号： 1 ページ： 378 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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